NB-IOT

方案特性：

过充/过放检测精度      :±20mV/±80mV(25℃)
充电过流检测精度      :10mV(25℃)
三级放电过流检测精度      :±10mV/±20mV/±40mV(25℃)
外部充电/放电FET控制    ：内置NMOS FET驱动.
均衡开启阈值精度:±25mV(25℃)
电池断线检测
电池充放电高低温保护
单体电池最大耐压20V
低功耗
工作状态      : 20μA (typ.)
休眠状态      : 2μA (typ.) 
掉电状态      : 350nA (typ.)
工作电压                  : +4.5V to +35V